نشریه صنایع الکترونیک
سال سیزدهم شماره 1 (پیاپی 49، بهار 1401)

در این مقاله، ساختاری جدید برای یک فیلتر قابل تنظیم آنالوگ باند Ka برروی زیرلایه سیلیکان با مقاومت بالا با به کارگیری ورکتورهای سیستم های میکروالکترومکانیکی فرکانس رادیویی برای تنظیم فرکانس مرکزی ارایه شده است. در این فیلتر، یک تشدیدکننده شانه ای /4λ بر روی خط سیگنال موج بر هم صفحه به همراه ساختار زمین نقص دار جدید و نامتعارف استفاده شده است که استفاده از DGS، علاوه بر کاهش اندازه طولی فیلتر، سبب افزایش قابل ملاحظه ضریب کیفیت فیلتر شده است. فیلتر RF-MEMS مورد نظر، قابلیت تنظیم فرکانس از 33.2GHz تا 35.6GHz با حذف باند توقف 35dB تا 45dB را دارد، همچنین دارای ضریب کیفیت بالایی برابر با 182 و 432 برای حالت های بالا و پایین ورکتور MEMS است. مدار معادل فیلتر مورد نظر به دقت استخراج شده و در خصوص ابعاد DGS، بهینه سازی کاملی صورت گرفته است و همچنین با استفاده از تحلیل الکترواستاتیکی، ولتاژ تحریک مربوط به ورکتورهای MEMS، 19.8V حاصل شد. مقدار تلفات جای گزینی برای حالت بالا و پایین ورکتور MEMS تا فرکانس 20GHz، به ترتیب برابر با 0.63dB و1.5dB است همچنین در مورد تلفات بازگشتی نیز مقادیر 0.8dB و 0.7dB به ترتیب برای حالت های بالا و پایین ورکتور MEMS به دست آمد. علاوه بر جدید بودن ساختار، بالا بودن ضریب کیفیت و اندازه بسیار کوچک فیلتر، از نقاط قوت دیگر این طراحی می توان به پایین بودن ولتاژ تحریک پل های MEMS اشاره کرد.

با توجه به بهره وری، طول عمر و شدت نور لامپ های HID، این لامپ ها در کاربردهای نظامی، امنیتی، فرودگاه و هواپیما کاربرد زیادی دارند. در این مقاله بالاست الکترونیکی کاربردی به منظور تنظیم توان و جریان این لامپ ها ارایه می شود. این بالاست قابلیت استفاده در لامپ های هالاید-فلزی و بخار سدیم فشار بالا با توان70 وات را داشته و مدار مربوطه از ترکیب مدارهای باک-بوست، باک و اینورتر تشکیل شده است. مدار باک-بوست جهت تصحیح ضریب توان استفاده می شود. این مدار در مود ناپیوسته کار کرده و جریان ورودی شبکه را با فرکانس kHz 30، طوری شکل دهی می کند که ضریب توان بالا و THD پایین به دست آید. مدار باک از ترکیب بخش اینورتری، یک سلف و خازن تشکیل شده است. این مبدل به روش موج مربعی فرکانس پایین (50 هرتز) کلیدزنی می گردد؛ تا لامپ با فرکانس پایین تغدیه شده و از تشدید آکوستیکی جلوگیری شود. توان لامپ بوسیله ی تنظیم سیکل وظیفه ی سیگنال کنترل گیت ماسفت در فرکانس بالا کنترل می شود. برای روشن شدن ابتدایی لامپ احتیاج به مدار مشتعل کننده (Igniter) است که از مدار بوست، دیود سیلیکونی جریان متناوب(SIDAC) و ترانسفورماتور برای اعمال ولتاژ بالا به لامپ استفاده می نماید. در این مقاله، مدار اشتعال لامپ ارایه شده و نحوه ی عملکرد آن تحلیل و بررسی می گردد. این بالاست ضریب توان 99/0 و THD کمتر از چهار درصد را تضمین می نماید. مدارهای ارایه شده، در نرم افزار PSIM شبیه سازی شده و نتایج شبیه سازی با نتایج تیوری مقایسه گردیده است.

یکی از کارآمدترین روش ها برای مقابله با رادارهای رهگیر، ایجاد هدف جعلی به صورت پسیو مانند دکوی راداری یا پرتاب چف است. روش های مختلفی برای مقابله با فریب حاصل از چف مطرح شده است. در تمام مقالات نیاز است داده مربوط به سیگنال بازگشتی از هدف و چف در دست باشد. تهیه داده واقعی در این زمینه بسیار

در این مقاله یک ایده جدید در طراحی تقویت کننده گسترده (Distributed Amplifier) با پاسخ فرکانسی میان گذر ارایه میشود که کاربرد زیادی در سیستمهای موج میلیمتری با پهنای باند بالا دارد. این ایده با جایگزین کردن مقاومت 50 اهم در ساختار یک تقویت کننده توزیع شده با یک مدار اتصال کوتاه عملی میشود که باعث تبدیل پاسخ فرکانسی پایین گذر تقویت کننده به پاسخ فرکانسی میان گذر میشود. بعلت حذف عناصر غیر فعال مثل خازن و اندوکتور در ساختار تقویت کننده که برای داشتن پاسخ فرکانسی میان گذر لازم هستند، تقویت کننده طراحی و ساخته شده دارای ابعاد و حجم بسیار کمتری نسبت به تقویت کننده های رایج با همان پاسخ فرکانسی میباشد. بعلاوه حذف عناصر غیر فعال باعث کاهش تلفات و در نتیجه افزایش ضریب بهره تقویت کننده و همچنین کاهش نویز نیز میشود. در این مقاله همچنین یک فرم بسته برای تابع تبدیل ، پهنای باند و فرکانس مرکزی تقویت کننده بدست آورده میشود. برای اثبات کارایی ایده مطرح شده یک تقویت کننده 6 طبقه با تکنولوژی 130 نانو متر CMOS طراحی و ساخته شده است. نتیایج آزمایش عملکرد این تقویت کننده نشان میدهد که فرکانس کار این تقویت کننده نزدیک به فرکانس قطع ترانزیستور در این تکنولوژی میباشد. بعلاوه ضریب بهره این تقویت کننده 18 دسیبل ، پهنای باند آن 7 گیگاهرتز در محدوده فرکانسی 64 تا 71 گیگاهرتز ، عدد نویز این تقویت کننده 6 دسیبل و مساحت اشغال شده آن 0/15 میلیمتر مربع میباشند.